VS-8ETH06-N3
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| Numero parte | VS-8ETH06-N3 |
| PNEDA Part # | VS-8ETH06-N3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.148 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-8ETH06-N3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-8ETH06-N3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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VS-8ETH06-N3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 590mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 980mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 120V Capacità @ Vr, F 140pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AD Pacchetto dispositivo fornitore MicroSMP (DO-219AD) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 470mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2500µA @ 30V Capacità @ Vr, F 150pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020D-3 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 560mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.75mA @ 35V Capacità @ Vr, F 900pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 155°C |
