VS-4EWH02FNTR-M3
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| Numero parte | VS-4EWH02FNTR-M3 |
| PNEDA Part # | VS-4EWH02FNTR-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 44.514 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-4EWH02FNTR-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-4EWH02FNTR-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-4EWH02FNTR-M3, VS-4EWH02FNTR-M3 Datasheet
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VS-4EWH02FNTR-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 910mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F 38pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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