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VS-30WQ04FN-M3

VS-30WQ04FN-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-30WQ04FN-M3
PNEDA Part # VS-30WQ04FN-M3
Descrizione DIODE SCHOTTKY DPAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
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Disponibile 3.654
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-30WQ04FN-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-30WQ04FN-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-30WQ04FN-M3, VS-30WQ04FN-M3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 134,97 KB)
PDFVS-30WQ04FN-M3 Datasheet Copertura
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VS-30WQ04FN-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)40V
Corrente - Media Rettificata (Io)3.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If530mV @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr2mA @ 40V
Capacità @ Vr, F189pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

410mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

HSM880JE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

780mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 80V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CDBJFSC8650-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

560pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDV30E65D2XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2 Full Pack

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

BYWF29-150-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

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