VS-20ETF10S-M3
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| Numero parte | VS-20ETF10S-M3 |
| PNEDA Part # | VS-20ETF10S-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.372 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 7 - dic 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-20ETF10S-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-20ETF10S-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-20ETF10S-M3, VS-20ETF10S-M3 Datasheet
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VS-20ETF10S-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia P600, Axial Pacchetto dispositivo fornitore P600 Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 75V Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
