VS-1N1190RA
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Numero parte | VS-1N1190RA |
PNEDA Part # | VS-1N1190RA |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.480 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-1N1190RA Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | VS-1N1190RA |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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VS-1N1190RA Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 40A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 126A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1nA @ 30V Capacità @ Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore MicroMELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |