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VS-1N1183RA

VS-1N1183RA

Solo per riferimento

Numero parte VS-1N1183RA
PNEDA Part # VS-1N1183RA
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-1N1183RA Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-1N1183RA
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-1N1183RA, VS-1N1183RA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 145,44 KB)
PDFVS-1N3768R Datasheet Copertura
VS-1N3768R Datasheet Pagina 2 VS-1N3768R Datasheet Pagina 3 VS-1N3768R Datasheet Pagina 4 VS-1N3768R Datasheet Pagina 5 VS-1N3768R Datasheet Pagina 6 VS-1N3768R Datasheet Pagina 7

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VS-1N1183RA Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 126A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr2.5mA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-203AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 200°C

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

26A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.55V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

750µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

FES6D

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

ISL9R8120S3ST

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Stealth™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.3V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UF3006-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-27

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 150A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 1600V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 400V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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