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VS-10ETF10FPPBF

VS-10ETF10FPPBF

Solo per riferimento

Numero parte VS-10ETF10FPPBF
PNEDA Part # VS-10ETF10FPPBF
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220FP
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-10ETF10FPPBF Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-10ETF10FPPBF
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-10ETF10FPPBF, VS-10ETF10FPPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 189,85 KB)
PDFVS-10ETF10FPPBF Datasheet Copertura
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VS-10ETF10FPPBF Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.33V @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)310ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC Full Pack
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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1N1186A

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 40A

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 190°C

UFS330GE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-215AB, SMC Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-215AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MSE07PJHM3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

700mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.08V @ 700mA

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

780ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

MicroSMP

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroSMP

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N5817M-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-60°C ~ 125°C

MPG06B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

600ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

MPG06, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

MPG06

Temperatura di esercizio - Giunzione

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