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VI20100SG-E3/4W

VI20100SG-E3/4W

Solo per riferimento

Numero parte VI20100SG-E3/4W
PNEDA Part # VI20100SG-E3-4W
Descrizione DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO262AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VI20100SG-E3/4W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVI20100SG-E3/4W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VI20100SG-E3/4W, VI20100SG-E3/4W Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 212,64 KB)
PDFVI20100SG-E3/4W Datasheet Copertura
VI20100SG-E3/4W Datasheet Pagina 2 VI20100SG-E3/4W Datasheet Pagina 3 VI20100SG-E3/4W Datasheet Pagina 4 VI20100SG-E3/4W Datasheet Pagina 5 VI20100SG-E3/4W Datasheet Pagina 6

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VI20100SG-E3/4W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.07V @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr350µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262AA
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 70A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SJPJ-H3VR

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, J-Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SJP

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

PDS4150Q-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

810mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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PowerDI™ 5

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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150V

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

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