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VB30100S-M3/8W

VB30100S-M3/8W

Solo per riferimento

Numero parte VB30100S-M3/8W
PNEDA Part # VB30100S-M3-8W
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VB30100S-M3/8W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVB30100S-M3/8W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VB30100S-M3/8W, VB30100S-M3/8W Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 96,28 KB)
PDFVB30100S-M3/4W Datasheet Copertura
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VB30100S-M3/8W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If910mV @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

STPSC6H065D

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

60µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

JANS1N5614US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/427

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

A, SQ-MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

D721S35TXPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

CLH05,LMBJQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

0.98V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

L-FLAT™

Pacchetto dispositivo fornitore

L-FLAT™ (4x5.5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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