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VB20200G-E3/8W

VB20200G-E3/8W

Solo per riferimento

Numero parte VB20200G-E3/8W
PNEDA Part # VB20200G-E3-8W
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario
1 ---------- $10,6373
100 ---------- $10,1387
250 ---------- $9,6401
500 ---------- $9,1414
750 ---------- $8,7259
1.000 ---------- $8,3104
Disponibile 5.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VB20200G-E3/8W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVB20200G-E3/8W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
VB20200G-E3/8W, VB20200G-E3/8W Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 211,35 KB)
PDFVI20200G-E3/4W Datasheet Copertura
VI20200G-E3/4W Datasheet Pagina 2 VI20200G-E3/4W Datasheet Pagina 3 VI20200G-E3/4W Datasheet Pagina 4 VI20200G-E3/4W Datasheet Pagina 5 VI20200G-E3/4W Datasheet Pagina 6

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  • VB20200G-E3/8W Distributor

VB20200G-E3/8W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr150µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

VS-MBRD650CTTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

VS-VSKD236/16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

115A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 1600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

3-MAGN-A-PAK™

Pacchetto dispositivo fornitore

MAGN-A-PAK®

MBR30040CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

8mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

PN414010

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

4000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

1100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 3000A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200mA @ 4000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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