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V6KM120DU-M3/I

V6KM120DU-M3/I

Solo per riferimento

Numero parte V6KM120DU-M3/I
PNEDA Part # V6KM120DU-M3-I
Descrizione RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY FP5X6
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

V6KM120DU-M3/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteV6KM120DU-M3/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
V6KM120DU-M3/I, V6KM120DU-M3/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 131,2 KB)
PDFV6KM120DU-M3/I Datasheet Copertura
V6KM120DU-M3/I Datasheet Pagina 2 V6KM120DU-M3/I Datasheet Pagina 3 V6KM120DU-M3/I Datasheet Pagina 4 V6KM120DU-M3/I Datasheet Pagina 5

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V6KM120DU-M3/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie*
Configurazione diodi-
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

VS-VSKC91/16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

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Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.22V @ 35A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

U1 (SMD-1)

NTSB40100CTT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

12µA @ 70V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Tipo di montaggio

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