V60170G-M3/4W
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| Numero parte | V60170G-M3/4W | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | V60170G-M3-4W | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 3.785 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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V60170G-M3/4W Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | V60170G-M3/4W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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V60170G-M3/4W Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 170V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 450µA @ 170V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 2.75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 15V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 15000V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 2 Independent Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227 |
