V12P8HM3_A/I
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| Numero parte | V12P8HM3_A/I |
| PNEDA Part # | V12P8HM3_A-I |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 80V 12A TO277A |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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V12P8HM3_A/I Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | V12P8HM3_A/I |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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V12P8HM3_A/I Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 80V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFRED® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 3V @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 20µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 30mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 1ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 300nA @ 30V Capacità @ Vr, F 1.5pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-103 Pacchetto dispositivo fornitore ML4-N1 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 490mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 45V Capacità @ Vr, F 70pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
