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US1DFA

US1DFA

Solo per riferimento

Numero parte US1DFA
PNEDA Part # US1DFA
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

US1DFA Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUS1DFA
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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US1DFA Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-123FA
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123H

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123HE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

ES2A-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB (DO-214AA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

IDH04SG60CXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 4A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

80pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

NSF8DTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MR754G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Button, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Microde Button

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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