US1A-M3/5AT
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| Numero parte | US1A-M3/5AT |
| PNEDA Part # | US1A-M3-5AT |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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US1A-M3/5AT Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | US1A-M3/5AT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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US1A-M3/5AT Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 570mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2.7mA @ 45V Capacità @ Vr, F 1400pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
