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UPA1950TE-T1-AT

UPA1950TE-T1-AT

Solo per riferimento

Numero parte UPA1950TE-T1-AT
PNEDA Part # UPA1950TE-T1-AT
Descrizione MOSFET P-CH SC-95
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.956
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA1950TE-T1-AT Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA1950TE-T1-AT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA1950TE-T1-AT, UPA1950TE-T1-AT Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 198,2 KB)
PDFUPA1950TE-T1-AT Datasheet Copertura
UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 2 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 3 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 4 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 5 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 6 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 7 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 8 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 9 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 10

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UPA1950TE-T1-AT Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 10V
Potenza - Max1.15W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-95
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-95

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 6V

Potenza - Max

910mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Potenza - Max

250mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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