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UP0411M00L

UP0411M00L

Solo per riferimento

Numero parte UP0411M00L
PNEDA Part # UP0411M00L
Descrizione TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.346
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
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UP0411M00L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUP0411M00L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
UP0411M00L, UP0411M00L Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 236,32 KB)
PDFUP0411M00L Datasheet Copertura
UP0411M00L Datasheet Pagina 2 UP0411M00L Datasheet Pagina 3

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UP0411M00L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)2.2kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione80MHz
Potenza - Max125mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSSMINI6-F1

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

HD1

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

2W

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-62

DDC122LH-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

220Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

PBLS6003D,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 60V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA, 100nA

Frequenza - Transizione

185MHz

Potenza - Max

600mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

RN1906,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

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