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UNR5118G0L

UNR5118G0L

Solo per riferimento

Numero parte UNR5118G0L
PNEDA Part # UNR5118G0L
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UNR5118G0L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUNR5118G0L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
UNR5118G0L, UNR5118G0L Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 630,48 KB)
PDFUNR511VG0L Datasheet Copertura
UNR511VG0L Datasheet Pagina 2 UNR511VG0L Datasheet Pagina 3 UNR511VG0L Datasheet Pagina 4 UNR511VG0L Datasheet Pagina 5 UNR511VG0L Datasheet Pagina 6 UNR511VG0L Datasheet Pagina 7 UNR511VG0L Datasheet Pagina 8 UNR511VG0L Datasheet Pagina 9 UNR511VG0L Datasheet Pagina 10 UNR511VG0L Datasheet Pagina 11

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UNR5118G0L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)510 Ohms
Resistenza - Base Emettitore (R2)5.1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione80MHz
Potenza - Max150mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-85
Pacchetto dispositivo fornitoreSMini3-F2

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DDTA113TE-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

BCR135E6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

PDTC114YQAZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

230MHz

Potenza - Max

280mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010D-3

DTA023JEBTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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