UNR511000L
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| Numero parte | UNR511000L |
| PNEDA Part # | UNR511000L |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 102.366 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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UNR511000L Risorse
| Brand | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UNR511000L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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UNR511000L Specifiche
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 80MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-G1 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 202mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-523 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 130MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT323-3 |
