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ULN2002AD16-U

ULN2002AD16-U

Solo per riferimento

Numero parte ULN2002AD16-U
PNEDA Part # ULN2002AD16-U
Descrizione IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 32.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ULN2002AD16-U Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteULN2002AD16-U
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
ULN2002AD16-U, ULN2002AD16-U Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 514,03 KB)
PDFULN2004AS16-13 Datasheet Copertura
ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 2 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 3 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 4 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 5 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 6 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 7 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 8 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 9 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 10 ULN2004AS16-13 Datasheet Pagina 11

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ULN2002AD16-U Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistor7 NPN Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Corrente - Taglio collettore (Max)50µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore16-PDIP

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Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010B-6

ULN2003AIPWR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

7 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-TSSOP

QS6Z5TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

360MHz, 400MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT6 (SC-95)

HN1B04FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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