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UGB18ACT-E3/81

UGB18ACT-E3/81

Solo per riferimento

Numero parte UGB18ACT-E3/81
PNEDA Part # UGB18ACT-E3-81
Descrizione DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.150
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UGB18ACT-E3/81 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUGB18ACT-E3/81
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
UGB18ACT-E3/81, UGB18ACT-E3/81 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 158,53 KB)
PDFUG18DCTHE3/45 Datasheet Copertura
UG18DCTHE3/45 Datasheet Pagina 2 UG18DCTHE3/45 Datasheet Pagina 3 UG18DCTHE3/45 Datasheet Pagina 4 UG18DCTHE3/45 Datasheet Pagina 5

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UGB18ACT-E3/81 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)18A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 9A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

490mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 10V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

EMD3F

MBRF300100R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

MURTA30040

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 150A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

MUR40005CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

400A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 125A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

QRD1415T30

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

59A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.8V @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 1400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Module

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