UGB10DCT-E3/81
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| Numero parte | UGB10DCT-E3/81 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | UGB10DCT-E3-81 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO263AB | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 235 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | set 27 - ott 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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UGB10DCT-E3/81 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UGB10DCT-E3/81 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
UGB10DCT-E3/81, UGB10DCT-E3/81 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 156,06 KB)
  
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UGB10DCT-E3/81 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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Produttore IXYS Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 40A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 60V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD |
