TSM2N7000KCT B0G
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| Numero parte | TSM2N7000KCT B0G |
| PNEDA Part # | TSM2N7000KCT-B0G |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92 |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.200 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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TSM2N7000KCT B0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TSM2N7000KCT B0G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TSM2N7000KCT B0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.32pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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