TSM042N03CS RLG
Solo per riferimento
| Numero parte | TSM042N03CS RLG |
| PNEDA Part # | TSM042N03CS-RLG |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 51.312 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TSM042N03CS RLG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TSM042N03CS RLG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TSM042N03CS RLG Datasheet
- where to find TSM042N03CS RLG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG
- TSM042N03CS RLG PDF Datasheet
- TSM042N03CS RLG Stock
- TSM042N03CS RLG Pinout
- Datasheet TSM042N03CS RLG
- TSM042N03CS RLG Supplier
- Taiwan Semiconductor Corporation Distributor
- TSM042N03CS RLG Price
- TSM042N03CS RLG Distributor
TSM042N03CS RLG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 7W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 407nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13660pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia TO-243AA |
Produttore IXYS Serie MegaMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 128A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.4nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-WLCSP (1.48x.98) Pacchetto / Custodia 6-XFBGA, WLCSP |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 123A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4090pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
