TPH3208PD
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| Numero parte | TPH3208PD |
| PNEDA Part # | TPH3208PD |
| Descrizione | GANFET N-CH 650V 20A TO220 |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.892 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPH3208PD Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPH3208PD |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPH3208PD Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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