TPH3207WS
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| Numero parte | TPH3207WS |
| PNEDA Part # | TPH3207WS |
| Descrizione | GANFET N-CH 650V 50A TO247 |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPH3207WS Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPH3207WS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPH3207WS Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2197pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 178W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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