TPCF8A01(TE85L)
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| Numero parte | TPCF8A01(TE85L) |
| PNEDA Part # | TPCF8A01-TE85L |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 3A VS-8 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.976 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPCF8A01(TE85L) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPCF8A01(TE85L) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TPCF8A01(TE85L), TPCF8A01(TE85L) Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 71,78 KB)
  
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TPCF8A01(TE85L) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 330mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VS-8 (2.9x1.5) |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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