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TPCF8304(TE85L,F,M

TPCF8304(TE85L,F,M

Solo per riferimento

Numero parte TPCF8304(TE85L,F,M
PNEDA Part # TPCF8304-TE85L-F-M
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TPCF8304(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTPCF8304(TE85L,F,M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
TPCF8304(TE85L, TPCF8304(TE85L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 250,34 KB)
PDFTPCF8304(TE85L Datasheet Copertura
TPCF8304(TE85L Datasheet Pagina 2 TPCF8304(TE85L Datasheet Pagina 3 TPCF8304(TE85L Datasheet Pagina 4 TPCF8304(TE85L Datasheet Pagina 5 TPCF8304(TE85L Datasheet Pagina 6 TPCF8304(TE85L Datasheet Pagina 7

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  • TPCF8304(TE85L,F,M Distributor

TPCF8304(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
Potenza - Max330mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreVS-8 (2.9x1.5)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ALD1105SBL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

HUF76407DK8T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FDSS2407

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

62V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Potenza - Max

2.27W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NTMFD4C87NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A, 14.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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