TPC6006-H(TE85L,F)
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| Numero parte | TPC6006-H(TE85L,F) |
| PNEDA Part # | TPC6006-H-TE85L-F |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPC6006-H(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPC6006-H(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPC6006-H(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 251pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VS-6 (2.9x2.8) |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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