TN2501N8-G
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| Numero parte | TN2501N8-G |
| PNEDA Part # | TN2501N8-G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3 |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.068 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TN2501N8-G Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TN2501N8-G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TN2501N8-G Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 18V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 3V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 200mA, 3V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-243AA (SOT-89) |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 88.2W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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