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TMC1320-LA

TMC1320-LA

Solo per riferimento

Numero parte TMC1320-LA
PNEDA Part # TMC1320-LA
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8PQFN
Produttore Trinamic Motion Control GmbH
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.550
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TMC1320-LA Risorse

Brand Trinamic Motion Control GmbH
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTMC1320-LA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
TMC1320-LA, TMC1320-LA Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 1.472,82 KB)
PDFTMC1320-LA Datasheet Copertura
TMC1320-LA Datasheet Pagina 2 TMC1320-LA Datasheet Pagina 3 TMC1320-LA Datasheet Pagina 4 TMC1320-LA Datasheet Pagina 5 TMC1320-LA Datasheet Pagina 6 TMC1320-LA Datasheet Pagina 7 TMC1320-LA Datasheet Pagina 8 TMC1320-LA Datasheet Pagina 9 TMC1320-LA Datasheet Pagina 10 TMC1320-LA Datasheet Pagina 11

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TMC1320-LA Specifiche

ProduttoreTrinamic Motion Control GmbH
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.3A, 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 25V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (3x3)

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-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 52A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

997pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Produttore

Vishay Siliconix

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Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Potenza - Max

48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA, 200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

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2W

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