TK6R7P06PL,RQ
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| Numero parte | TK6R7P06PL,RQ |
| PNEDA Part # | TK6R7P06PL-RQ |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 21.990 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK6R7P06PL Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK6R7P06PL,RQ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK6R7P06PL Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIX-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 66W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.59nC @ 10V Vgs (massimo) 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 328pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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