TK31J60W,S1VQ
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| Numero parte | TK31J60W,S1VQ |
| PNEDA Part # | TK31J60W-S1VQ |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.298 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK31J60W Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK31J60W,S1VQ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK31J60W Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | DTMOSIV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Funzione FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
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