TH58NYG2S3HBAI6
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| Numero parte | TH58NYG2S3HBAI6 |
| PNEDA Part # | TH58NYG2S3HBAI6 |
| Descrizione | 4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP |
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.966 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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TH58NYG2S3HBAI6 Risorse
| Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TH58NYG2S3HBAI6 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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TH58NYG2S3HBAI6 Specifiche
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-BGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (9x11) |
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