TC8020K6-G
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| Numero parte | TC8020K6-G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | TC8020K6-G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microchip Technology | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 27 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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TC8020K6-G Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TC8020K6-G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TC8020K6-G Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | 6 N and 6 P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 56-VFQFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 56-QFN (8x8) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
