TC4469EOE
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| Numero parte | TC4469EOE |
| PNEDA Part # | TC4469EOE |
| Descrizione | IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 10.284 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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TC4469EOE Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TC4469EOE |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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TC4469EOE Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 4 |
| Tipo di porta | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 18V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1.2A, 1.2A |
| Tipo di ingresso | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 15ns, 15ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 125mA, 250mA Tipo di ingresso RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 80ns, 40ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
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Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4.5A, 4.5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-TDFN (2x3) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 290mA, 600mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Tempo di salita / discesa (tipico) 70ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
