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STW28NM50N

STW28NM50N

Solo per riferimento

Numero parte STW28NM50N
PNEDA Part # STW28NM50N
Descrizione MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STW28NM50N Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTW28NM50N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STW28NM50N, STW28NM50N Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 960,69 KB)
PDFSTF28NM50N Datasheet Copertura
STF28NM50N Datasheet Pagina 2 STF28NM50N Datasheet Pagina 3 STF28NM50N Datasheet Pagina 4 STF28NM50N Datasheet Pagina 5 STF28NM50N Datasheet Pagina 6 STF28NM50N Datasheet Pagina 7 STF28NM50N Datasheet Pagina 8 STF28NM50N Datasheet Pagina 9 STF28NM50N Datasheet Pagina 10 STF28NM50N Datasheet Pagina 11

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STW28NM50N Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs158mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

95W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

96W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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60mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

657pF @ 25V

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2W (Ta)

Temperatura di esercizio

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