STW13NK60Z
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| Numero parte | STW13NK60Z |
| PNEDA Part # | STW13NK60Z |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.440 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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STW13NK60Z Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STW13NK60Z |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STW13NK60Z Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2030pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 58W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
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