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STU60N3LH5

STU60N3LH5

Solo per riferimento

Numero parte STU60N3LH5
PNEDA Part # STU60N3LH5
Descrizione MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.442
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STU60N3LH5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTU60N3LH5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STU60N3LH5, STU60N3LH5 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 747,43 KB)
PDFSTP60N3LH5 Datasheet Copertura
STP60N3LH5 Datasheet Pagina 2 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 3 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 4 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 5 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 6 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 7 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 8 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 9 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 10 STP60N3LH5 Datasheet Pagina 11

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STU60N3LH5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C48A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1620pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IXFH96N20P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

96A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223

Pacchetto / Custodia

TO-261-3

NVMFS5C628NLWFAFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 135µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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