STTH4R02S
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| Numero parte | STTH4R02S |
| PNEDA Part # | STTH4R02S |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 81.576 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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STTH4R02S Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STTH4R02S |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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STTH4R02S Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 460mV @ 1.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 60µA @ 30V Capacità @ Vr, F 50pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
