STTH3010PI
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| Numero parte | STTH3010PI |
| PNEDA Part # | STTH3010PI |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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STTH3010PI Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STTH3010PI |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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STTH3010PI Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DOP3I |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 630mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 35V Capacità @ Vr, F 1400pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
