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STS5DNF60L

STS5DNF60L

Solo per riferimento

Numero parte STS5DNF60L
PNEDA Part # STS5DNF60L
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.146
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STS5DNF60L Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTS5DNF60L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STS5DNF60L, STS5DNF60L Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 513,47 KB)
PDFSTS5DNF60L Datasheet Copertura
STS5DNF60L Datasheet Pagina 2 STS5DNF60L Datasheet Pagina 3 STS5DNF60L Datasheet Pagina 4 STS5DNF60L Datasheet Pagina 5 STS5DNF60L Datasheet Pagina 6 STS5DNF60L Datasheet Pagina 7 STS5DNF60L Datasheet Pagina 8 STS5DNF60L Datasheet Pagina 9 STS5DNF60L Datasheet Pagina 10 STS5DNF60L Datasheet Pagina 11

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STS5DNF60L Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ II
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1030pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 420mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

CSD87351Q5D

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 15V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (5x6)

IRF8313PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SP8M24FRATB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V, 1700pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SI1023X-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

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