STN1HNK60

Solo per riferimento
Numero parte | STN1HNK60 |
PNEDA Part # | STN1HNK60 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.544 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
STN1HNK60 Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Numero di parte | STN1HNK60 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STN1HNK60 Datasheet
- where to find STN1HNK60
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STN1HNK60
- STN1HNK60 PDF Datasheet
- STN1HNK60 Stock
- STN1HNK60 Pinout
- Datasheet STN1HNK60
- STN1HNK60 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STN1HNK60 Price
- STN1HNK60 Distributor
STN1HNK60 Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | SuperMESH™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±9V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia 3-SMD, Flat Leads |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 83µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5600pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1079pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6) Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5730pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |