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STL23NM50N

STL23NM50N

Solo per riferimento

Numero parte STL23NM50N
PNEDA Part # STL23NM50N
Descrizione MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL23NM50N Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL23NM50N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STL23NM50N, STL23NM50N Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 653,79 KB)
PDFSTL23NM50N Datasheet Copertura
STL23NM50N Datasheet Pagina 2 STL23NM50N Datasheet Pagina 3 STL23NM50N Datasheet Pagina 4 STL23NM50N Datasheet Pagina 5 STL23NM50N Datasheet Pagina 6 STL23NM50N Datasheet Pagina 7 STL23NM50N Datasheet Pagina 8 STL23NM50N Datasheet Pagina 9 STL23NM50N Datasheet Pagina 10 STL23NM50N Datasheet Pagina 11

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STL23NM50N Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.8A (Ta), 14A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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BUK965R4-40E,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.9nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4483pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

137W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQPF9N90CT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRFR825PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1346pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

119W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

165A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 108µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6370pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HSOG-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Gull Wing

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3650pF @ 10V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

568W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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