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STL10N3LLH5

STL10N3LLH5

Solo per riferimento

Numero parte STL10N3LLH5
PNEDA Part # STL10N3LLH5
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL10N3LLH5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL10N3LLH5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STL10N3LLH5, STL10N3LLH5 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 700,11 KB)
PDFSTL10N3LLH5 Datasheet Copertura
STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 2 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 3 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 4 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 5 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 6 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 7 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 8 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 9 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 10 STL10N3LLH5 Datasheet Pagina 11

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STL10N3LLH5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±22V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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IPA90R1K0C3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 370µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

32W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

10-PolarPAK® (L)

Pacchetto / Custodia

10-PolarPAK® (L)

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

385pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

236mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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