STI34N65M5
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| Numero parte | STI34N65M5 |
| PNEDA Part # | STI34N65M5 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 21.372 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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STI34N65M5 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STI34N65M5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STI34N65M5 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
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