STGWT80H65DFB
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| Numero parte | STGWT80H65DFB |
| PNEDA Part # | STGWT80H65DFB |
| Descrizione | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.878 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGWT80H65DFB Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGWT80H65DFB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGWT80H65DFB, STGWT80H65DFB Datasheet
(Totale pagine: 18, Dimensioni: 972,51 KB)
  
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STGWT80H65DFB Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Potenza - Max | 469W |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 414nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 84ns/280ns |
| Condizione di test | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
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