STGWA80H65DFB
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Numero parte | STGWA80H65DFB | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | STGWA80H65DFB | ||||||||||||||||||
Descrizione | IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 | ||||||||||||||||||
Produttore | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 4.304 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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STGWA80H65DFB Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STGWA80H65DFB |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
Datasheet |
STGWA80H65DFB, STGWA80H65DFB Datasheet
(Totale pagine: 22, Dimensioni: 1.458,74 KB)
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STGWA80H65DFB Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 240A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
Potenza - Max | 469W |
Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 414nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 84ns/280ns |
Condizione di test | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
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