STGB15M65DF2
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| Numero parte | STGB15M65DF2 |
| PNEDA Part # | STGB15M65DF2 |
| Descrizione | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 12.672 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGB15M65DF2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGB15M65DF2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGB15M65DF2, STGB15M65DF2 Datasheet
(Totale pagine: 19, Dimensioni: 1.106,57 KB)
  
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STGB15M65DF2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 30A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Potenza - Max | 136W |
| Switching Energy | 90µJ (on), 450µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 45nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/93ns |
| Condizione di test | 400V, 15A, 12Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 142ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
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Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 12A Potenza - Max 125W Switching Energy 258µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 54nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 25ns/96ns Condizione di test 480V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
