STF19NM65N
Solo per riferimento
| Numero parte | STF19NM65N |
| PNEDA Part # | STF19NM65N |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.628 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STF19NM65N Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STF19NM65N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STF19NM65N Datasheet
- where to find STF19NM65N
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STF19NM65N
- STF19NM65N PDF Datasheet
- STF19NM65N Stock
- STF19NM65N Pinout
- Datasheet STF19NM65N
- STF19NM65N Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STF19NM65N Price
- STF19NM65N Distributor
STF19NM65N Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1326pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-59 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SMCP Pacchetto / Custodia SC-75, SOT-416 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12400pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ 3 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 37.5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
